Thông số kỹ thuật

Cổng xuất âm Balanced 4.4mm (PO – Phone Out)

  • Độ méo hài tổng + Nhiễu (THD+N):

    • 116dB (Không tải)

    • -110dB (Tải 600 ohm)

  • Dải động (Dynamic Range): 120dB

  • Tỷ lệ tín hiệu trên nhiễu (SNR): 122dB

  • Nhiễu xuyên kênh (Crosstalk): -117dB

  • Dải tần số: 10Hz – 40kHz (±0.5dB)

  • Trở kháng đầu ra: 1.1 ohm

  • Công suất đầu ra:

    • 1030mW + 1030mW @ 32 ohm (sử dụng pin)

    • 1900mW + 1900mW @ 32 ohm (sử dụng nguồn ngoài 12V DC)

Cổng xuất âm Balanced 4.4mm (LO – Line Out)

  • THD+N: -116dB (Không tải)

  • Dải động: 126dB

  • SNR: 123dB

  • Nhiễu xuyên kênh: -97dB

Mức đầu ra (Output Level)

  • 1.6Vrms (Gain thấp)

  • 2.6Vrms (Gain trung bình)

  • 3Vrms (Gain cao)

Đang cập nhật

Mở Ra Kỷ Nguyên Mới Cho Ứng Dụng GaN Di Động

Trong lĩnh vực thiết bị âm thanh di động cao cấp, iBasso một lần nữa dẫn đầu ngành công nghiệp. AMP17 đánh dấu lần đầu tiên công nghệ gallium nitride (GaN) được áp dụng vào thiết kế ampli tai nghe di động.

So với các MOSFET hoặc transistor lưỡng cực truyền thống, GaNFET sở hữu độ linh động electron lên tới 2000 cm/V•s, cho phép tốc độ electron cao hơn và giảm tổn thất dẫn điện ở tần số cao.

Tổng điện tích Miller (QGD) của GaNFET thấp hơn đáng kể so với MOSFET công suất có điện trở tương đương, giúp tăng tốc độ chuyển mạch, từ đó cải thiện phản hồi chuyển tiếp, dải động và độ chính xác trong điều khiển.

Dòng Điện Cao Và Điện Trở Nội Thấp

GaNFET có điện trở nội cực thấp, cho phép cung cấp dòng điện lớn hơn. Kết hợp với thiết kế điện trở đầu ra thấp của AMP17, điều này giúp điều khiển chính xác nhiều loại tai nghe trở kháng thấp, mang lại âm thanh có tầng lớp rõ ràng, giàu chi tiết và năng động. Dù với các tín hiệu phức tạp, mã hóa cao hoặc thay đổi mạnh, AMP17 vẫn hoạt động vững vàng, giữ được chi tiết đầy đủ, nhịp điệu rõ ràng và mang lại trải nghiệm ổn định và đầy uy lực.

Giảm Nhiễu Ripple Đáng Kể

GaN hỗ trợ tần số hoạt động cao hơn, giúp AMP17 đạt được băng thông rộng và phản hồi nhanh nhạy. Ngay cả các chi tiết tần số cao tinh tế nhất cũng được tái hiện chân thực. So với các giải pháp amp tai nghe truyền thống, việc tích hợp GaN giảm thiểu đáng kể nhiễu từ dòng ripple của cuộn cảm lên tín hiệu âm thanh. Kết quả là hình ảnh âm thanh rõ nét, có cảm giác analog và tự nhiên.

Phản Hồi Nhanh Và Giảm Méo Tiếng

Tốc độ chuyển mạch của GaN nhanh hơn hàng chục lần so với MOSFET silicon truyền thống. Lợi thế này giúp AMP17 đạt được chuyển mạch gần như không có độ trễ tại điểm zero-cross, cho dạng sóng đầu ra gần như lý tưởng, khiến âm thanh trở nên trong trẻo và tự nhiên hơn. Trong điều kiện méo tiếng thấp như vậy, mọi sắc thái cảm xúc âm nhạc được tái hiện chính xác, mang lại trải nghiệm nghe sống động và sâu sắc.

Nguồn Điện

Dựa trên thiết kế nguồn ngoài thế hệ mới nhất của iBasso, AMP17 hỗ trợ đầu vào 12V DC. Ở chế độ siêu khuếch đại (super-gain), nó phát huy tối đa công suất, cho đầu ra mạnh mẽ 1900mW + 1900mW tại 32Ω. Dù là tai nghe full-size hay tai nghe IEM cao cấp, AMP17 đều mang lại âm thanh dày, mạnh mẽ, với phản hồi chuyển tiếp nhanh và âm trầm sâu, đầy lực.

Hỗ Trợ Toàn Diện Dòng DX300

AMP17 không chỉ hỗ trợ DX340 mà còn tương thích với các máy nghe nhạc DX300 và DX320. Logic vận hành quen thuộc vẫn được giữ nguyên, tạo cảm giác không thay đổi, tuy nhiên chất lượng âm thanh đã được nâng cấp toàn diện.

Lưu ý: DX300 và DX320 không hỗ trợ nguồn điện ngoài 12V DC.